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?GPポイントはNi-Tiファイルのテーパー(図3)に一致したGPポイント(図4)を使用します。GPポイント試適時には根尖方向に強めに圧接して変形した部分(図5)を切ることにより、作業長よりも約0.5mm短い状態で、強めのタッグバックが得られるようにGPポイントを調整します(図6)。?根充用シーラーをGPポイントに少量塗布し根管内に挿入します(図7)。?根管口部でGPポイントをヒートプラガーを使い切断します(図8)。?ブキャナンハンドプラガーのステンレス側で垂直方向に加圧します(図9)。?ヒートプラガーにより加熱しながら3秒間掛け根尖方向にラバーストップの位置まで加圧します(図10)。?加圧した位置で加熱せずに3秒間そのまま待ちます(図11)。?その後1秒間だけ加熱しヒートプラガーを引き抜きます(図12)。?ブキャナンハンドプラガーのNi-Ti側で垂直方向に加圧します(図13)。10残りのスペースの先端までシステムBコードレスフィルのニードルの先端を挿入し5秒後にゆっくりとバックフィルを行います(図14)、また従来通りオブチュレーションガッタNTでバックフィルすることも可能です(図15)。他の根充方法との比較現在一番オーソドックスな根充方法であるラテラルコンデンセーション(図16).06テーパーのGPポイントを使ったシングルコーンテクニック(図17)・システムBによる根充(図18)を比較してみました。根充後のシーラーの白色の状態から、それぞれの根充方法の特徴が読み取れると思います。システムBによる根充は、K3 XFにより根管の変位無く形成された、根尖径NO.25根管に対し、安定し緊密な根充が容易で、短時間でできる根充方法と私は思います。また根尖の壊れている症例・太い根管に対してもISO規格ポイントを使用することにより対応が可能です。図10図11図12ヒートプラガーを加熱状態で根尖方向に加圧。この時、根管壁に側方圧がかかり側枝が根充される。図133秒間側枝に侵入したGPが冷えるまで加熱しないでヒートプラガーを保持。図141秒だけ加熱し、GPがヒートプラガーに付かないようにして引き抜く。図15Ni-Ti側で垂直方向に加圧し、根尖部の根充を緊密にする。図16システムBコードレスフィルで残りの空間をバックフィルニードル挿入後5秒してからGPを注入。図17オブチュレーションガッタNTでバックフィルしてもよい。図18ラテラルコンデンセーションNO.30Kファイルでアピカルシート形成。.06テーパーNO.25で形成後にシングルコーン。同じ形成でシステムBで根充。シーラーの白色がほとんど無い。